Get Adobe Flash player

Продукция

Контакты

 +38 (0619) 42-40-11

 +38 (096) 091-69-31

 +38 (063) 937-17-77

om@moit.com.ua

info@moit.com.ua

novohatnev@moit.com.ua

Semikron

IGBT модули и драйверы SemikronКомпания SEMIKRON - лидер в области производства электронных компонентов для мощных и сверхмощных применений. Ассортимент продукции просто огромен. Одним из ведущих поставщиков на рынке Украины модулей IGBT, тиристорно-диодных модулей, а также драйверов IGBT компании SEMIKRON является ООО «Завод инновационных технологий». Основными преимуществами продукции являются: надежность, компактность и отменные технические характеристики.

Краткие характеристики модуля IGBT SKM200GB12E4:

Модуль IGBT SKM200GB12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 314А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 200 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 48.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.14 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики модуля IGBT SKM400GAR12E4:

Модуль IGBT SKM400GAR12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 618А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 400 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 88.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.072 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики модуля IGBT SKM400GB125D:

Модуль IGBT SKM400GB125DСемейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 400А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 300 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 35.00мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.05 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики модуля IGBT SKM400GB12E4:

Модуль IGBT SKM400GB12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 618А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 400 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 88.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.072 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики тиристорно-диодного модуля SKKH 106/12E:

Модуль тиристорно-диодный SKKH 106/12EОбратное напряжение: 1300 В

Сила тока: 106 А

Постоянное прямое напряжение: 1,65 В

Постоянный ток через управляющий электрод тиристора: 300 мА

Время включения: 2 мкс

Время отключения: 100 мкс

Тип корпуса: SEMIPACK1

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Рейтинг@Mail.ru