+38 (096) 091-69-31
+38 (063) 937-17-77
Компания SEMIKRON - лидер в области производства электронных компонентов для мощных и сверхмощных применений. Ассортимент продукции просто огромен. Одним из ведущих поставщиков на рынке Украины модулей IGBT, тиристорно-диодных модулей, а также драйверов IGBT компании SEMIKRON является ООО «Завод инновационных технологий». Основными преимуществами продукции являются: надежность, компактность и отменные технические характеристики.
Семейство: SEMiTRANS
Технология: IGBT 4
Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В
Ток коллектора: 314А @ 25°C А
Номинальный ток коллектора: 200 А
Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В
(Eon+Eoff): 48.00мДж @ 150°C
Тип корпуса: SEMITRANS3
Rth(j-c) (per IGBT): 0.14 K/W
Цепь: GB
Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия
Семейство: SEMiTRANS
Технология: IGBT 4
Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В
Ток коллектора: 618А @ 25°C А
Номинальный ток коллектора: 400 А
Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В
(Eon+Eoff): 88.00мДж @ 150°C
Тип корпуса: SEMITRANS3
Rth(j-c) (per IGBT): 0.072 K/W
Цепь: GB
Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия
Семейство: SEMiTRANS
Технология: Ultrafast
Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В
Ток коллектора: 400А @ 25°C А
Номинальный ток коллектора: 300 А
Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В
(Eon+Eoff): 35.00мДж @ 125°C
Тип корпуса: SEMITRANS3
Rth(j-c) (per IGBT): 0.05 K/W
Цепь: GB
Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия
Семейство: SEMiTRANS
Технология: IGBT 4
Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В
Ток коллектора: 618А @ 25°C А
Номинальный ток коллектора: 400 А
Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В
(Eon+Eoff): 88.00мДж @ 150°C
Тип корпуса: SEMITRANS3
Rth(j-c) (per IGBT): 0.072 K/W
Цепь: GB
Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия
Обратное напряжение: 1300 В
Сила тока: 106 А
Постоянное прямое напряжение: 1,65 В
Постоянный ток через управляющий электрод тиристора: 300 мА
Время включения: 2 мкс
Время отключения: 100 мкс
Тип корпуса: SEMIPACK1
Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия
