Краткие характеристики модуля IGBT SKM100GB125DN:
Технология: Ultrafast
Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В
Ток коллектора: 100А @ 25°C А
Номинальный ток коллектора: 75 А
Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В
(Eon+Eoff): 12.50мДж @ 125°C
Тип корпуса: SEMITRANS3
Rth(j-c) (per IGBT): 0.18 K/W
Цепь: GB
Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия