Завод инновационных технологий

Краткие характеристики модуля IGBT SKM100GB125DN:

Семейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 100А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 75 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 12.50мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.18 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия