Краткие характеристики модуля IGBT SK50GH12T4T:
Технология: IGBT 4
Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В
Ток коллектора: 75А @ 25°C А
Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В
(Eon+Eoff): 13.30мДж @ 125°C
Тип корпуса: SEMITOP 4
Rth(j-c) (per IGBT): 0.65 K/W
Цепь: GH
Датчик температуры: Да
Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия