Get Adobe Flash player

Продукция

Контакты

 +38 (0619) 42-40-11

 +38 (096) 091-69-31

 +38 (063) 937-17-77

om@moit.com.ua

info@moit.com.ua

novohatnev@moit.com.ua

Semikron

IGBT модули и драйверы SemikronКомпания SEMIKRON - лидер в области производства электронных компонентов для мощных и сверхмощных применений. Ассортимент продукции просто огромен. Одним из ведущих поставщиков на рынке Украины модулей IGBT, тиристорно-диодных модулей, а также драйверов IGBT компании SEMIKRON является ООО «Завод инновационных технологий». Основными преимуществами продукции являются: надежность, компактность и отменные технические характеристики.

Краткие характеристики драйвера Skyper 32 R:

Драйвер Skyper 32 R

Количество каналов: 2

Напряжение: 1700 В

Сила тока: 15 А

Частота: 50 кГц

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики драйвера Skyper 42 R:

Драйвер Skyper 42 RКоличество каналов: 2

Напряжение: 1700 В

Сила тока: 30 А

Частота: 100 кГц

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики модуля IGBT SK50GH12T4T:

Модуль IGBT SK50GH12T4TСемейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 75А @ 25°C А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 13.30мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITOP 4

Rth(j-c) (per IGBT): 0.65 K/W

Цепь: GH

Датчик температуры: Да

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики модуля IGBT SKM100GB125DN:

Модуль IGBT SKM100GB125DNСемейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 100А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 75 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 12.50мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.18 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Краткие характеристики модуля IGBT SKM200GB125D:

Модуль IGBT SKM200GB125DСемейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 200А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 150 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 14.00мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.09 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Рейтинг@Mail.ru