Get Adobe Flash player

Продукция

Контакты

 +38 (0619) 42-40-11

 +38 (096) 091-69-31

 +38 (063) 937-17-77

om@moit.com.ua

info@moit.com.ua

novohatnev@moit.com.ua

Модули IGBT

IGBTБТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

По своей внутренней структуре IGBT представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Управляющий электрод называется затвором как у ПТ, два других электрода — эмиттером и коллектором как у биполярного. Такое составное включение ПТ и БТ позволяет сочетать в одном устройстве достоинства обоих типов полупроводниковых приборов.

Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.

Предлагаем рассмотреть следующие модули IGBT:

Краткие характеристики модуля IGBT SKM400GAR12E4:

Модуль IGBT SKM400GAR12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 618А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 400 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 88.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.072 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ

Краткие характеристики модуля IGBT SKM400GB125D:

Модуль IGBT SKM400GB125DСемейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 400А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 300 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 35.00мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.05 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ

Краткие характеристики модуля IGBT SKM400GB12E4:

Модуль IGBT SKM400GB12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 618А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 400 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 88.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.072 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ

Рейтинг@Mail.ru