Краткие характеристики модуля IGBT SKM400GB12E4:

Модуль IGBT SKM400GB12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 618А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 400 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 88.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.072 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ