Краткие характеристики модуля IGBT SKM200GB12E4:

Модуль IGBT SKM200GB12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 314А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 200 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 48.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.14 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ