Краткие характеристики модуля IGBT SKM200GB125D:

Модуль IGBT SKM200GB125DСемейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 200А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 150 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 14.00мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.09 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: есть на складе