Краткие характеристики модуля IGBT SK50GH12T4T:

Модуль IGBT SK50GH12T4TСемейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 75А @ 25°C А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 13.30мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITOP 4

Rth(j-c) (per IGBT): 0.65 K/W

Цепь: GH

Датчик температуры: Да

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ